隧穿效应相关论文
环境与能源问题是全世界面临的共同难题,各国正在积极探索先进的清洁燃烧技术,寻找新型的绿色替代能源。燃烧作为能源供给的主要方......
低温动力学过程由于极易受量子效应(如零点能和量子隧穿效应)的影响,经常表现出与高温动力学过程迥异的动力学特性,探究低温动力学过......
通过预氧化和氨水水热法在含有不同壁数的碳纳米管表面成功引入含氮基团,从而获得了氮掺杂碳纳米管(NCNT),并研究了纳米管壁数对不......
本文运用自洽的蒙特卡罗方法模拟了肖特基接触的隧穿效应.模拟的内容包括工作在不同的温度下,具有不同的势垒高度以及在半导体一侧......
超连续谱产生是在非线性介质里传输的超短脉冲受到介质色散效应和丰富的非线性现象的共同影响,脉冲频谱展宽的物理现象。近年来,随着......
引入复折射率的概念,利用特征矩阵法研究了材料的吸收对光子晶体全反射隧穿效应的影响。通过数值计算研究了光子晶体的全反射隧穿......
为了研究一维有限周期含负折射率光子晶体的全反射隧穿效应,利用传输矩阵法计算了TE波和TM波在大于全反射角入射一维有限周期含负......
建立了一维无限周期声子晶体的谐振腔模型,利用谐振腔的共振条件推导出全反射隧穿导带频率满足的解析公式,从理论上解释了一维无限......
用光伏谱方法研究了InGaAs/GaAs应变量子阱结构中各子能级间的光跃迁,并与理论计算的结果进行了比较.分析了光伏谱峰能量随阱宽与温度的变化,并讨......
光辐射显微技术(LEM)已广泛用于检测各种半导体器件因缺陷氧化层、结漏电。闩锁和其他漏电现象等引起的失效。尽管LEM已被广泛应用,但......
采用分子束外延技术在蓝宝石衬底上制备Mg掺杂的立方相p-GaN,并对其不同温度下的光致发光光谱进行了研究.实验观察到高Mg掺杂GaN中施主受主对发光......
山本量子波动项目的研究人员已成功地发展了一种发射固定频率单光子的半导体器件。该组在斯坦福大学集成系统中心和 E.L.Ginzton实......
报道了采用电子束光刻、反应离子刻蚀及热氧化等工艺 ,在 p型 SIMOX(separation by implanted oxygen)硅片上成功制造的一种单电子......
中国科技大学微尺度物质科学国家实验室成功地将富勒烯单分子中的一个碳原子用氮原子取代,同时利用单电子隧穿效应,研制成仅由一个......
采用MOCVD方法制备了ZnCdSe量子阱/CdSe量子点耦合结构,利用低温(5K)光致发光光谱和变密度发光光谱研究了该结构中的激子隧穿和复......
为了解聚合物电致光器件(PLED)的电流限制机制,以MEH-PPV为发光材料制作了聚合物电致发光器件,并采用复合阴极结构(LiF/Al)。针对......
以双中心模型为基础,理论研究了LiNbO_3:Cu:Ce晶体在稳态情况下的非挥发双光双步全息存储性能.研究中考虑了在晶体深能级中心Cu~+/......
近些年,有机半导体中载流子迁移率的实验测量值已超过由半经典Marcus理论计算得到的理论预测值。此外,在一些具有超纯性质和紧密......
为了对传统MOSFET晶体管做出优化以减小其短沟道效应和源漏穿通效应,基于肖特基势垒隧穿效应,提出一种具有记忆功能的高集成双括号......
半导体中的磁电阻效应不仅在低磁场下具有与巨磁电阻效应相媲美的磁敏感性,在强磁场下也具有线性磁电阻效应,因而受到了科研工作者......
本文采用的晶体管结构是垂直结构有机薄膜晶体管(OTFT)。垂直结构的导电沟道长度相对于水平结构的沟道长度大大缩短,从而降低了驱......
在显微镜的家族中,光学显微镜结构简单,操作方便,可观察的对象十分广泛,是一个历史悠久、使用普遍的品种。但是,这种显微镜因光波......
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近年来,由金属微粒弥散相与氧化物电介质(玻璃或陶瓷)基体所构成的复合材料体系引起了人们的关注。由于这类材料在光学(光吸收、......
中国科技大学新闻中心近日宣布,该校微尺度物质科学国家实验室成功地将富勒烯单分子中的一个碳原子用氮原子取代,同时利用单电子......
开发和研究具有高介电常数、低漏流和高击穿电压的功能器件对栅极介电薄膜材料和高电子传输二极管等电子器件材料具有重要的意义。......
一、引言低温放电产生氮化硅工艺领域越来越重要。等离子体氮化硅(SiN)薄膜基本性质已通过成分、折射率、内应力、密度和振动谱研......
以双中心模型为基础,研究了连续光条件下近化学计量比LiNbO3:Fe和LiNbO3:Fe:Mn晶体在稳态情况下的非挥发全息存储性能。考虑在深、......
NH3 分子伞形振动(υ2)中由于几何构型翻转所引起的能级分裂作为量子力学中势垒隧穿效应的一个经典范例已为人熟知。而在同系......
采用差分法推导了计算基于Drude模型双负媒质的FDTD迭代公式,并分析了其负折射特性。计算结果表明折射率为-1的DNG板能够将点源聚......
本文是1973年诺贝尔物理奖获得者贾埃弗的得奖讲演,选自《诺贝尔奖金获得者讲演(七十年代·物理学)》一书(该书不日由知识出版社出......
该文利用转移矩阵方法系统地研究了具有纳米尺度的多磁势垒结构中电子的隧穿效应。结果表明电子隧穿多磁势垒结构的传输几率和电导......
隧穿磁强计是一种基于量子力学中隧道效应原理的磁强计,但目前国内研究的隧穿磁强计或是由于驱动电压较高或是由于灵敏度不足的原因......
磁电子学是建立在自旋极化和自旋相关的电子输运过程基础上的一门新兴学科。通过磁场操纵电子的另一个属性——自旋的相对取向,来调......
单电子晶体管是基于库仑阻塞效应和单电子隧穿效应工作的,它具有尺寸小、速度快、功耗低、可大规模集成等优点。基于SOI结构的单电......
表面等离激元(Surface Plasmon Polaritons,SPPs)是一种光频段沿金属与介质交界面传输的表面波,具有显著的亚波长约束、近场增强和慢......
当集成电路发展到45nm工艺节点以下时,传统的SiO2作为栅氧化层介质会导致电子的直接隧穿效应以及栅介质层所承受的电场变大,由此引起......
有机小分子晶体的载流子传输受到载流子跳迁和能带输运两种机制的共同作用。本工作主要从第一性原理出发计算了电场对载流子跳......
该文汇集了近几年关于高性能的发光显示器件及功率器件研究的部分工作.全文共分三章.第一章,薄膜电致发光(TFEL)器件的研究;第二章......
随着介观物理学的发展和弱局域效应理论体系的完善,对金属-(金属)绝缘体颗粒薄膜系统输运特性的研究,已成为凝聚态物理和材料物理学......
当物理系统的尺寸降到纳米级别时,量子尺寸效应(QSE)变得十分重要。由量子力学可知系统费米面附近能级间距△EF与系统尺寸1/L的关系......