本征层相关论文
非晶硅因其具有吸收系数高、适用于柔性衬底和大批量卷对卷制造工艺的特点因而在薄膜太阳能电池制造领域得到广泛普及.作为薄膜太......
本实验利用本征氢化非晶硅来钝化a-Si:H和c-Si的界面,从而提高电池的转换效率.制备a-Si:H(p)/c-Si(n)异质结太阳电池所用的单晶硅......
会议
HIT太阳电池以高效率,低成本和快速制备工艺引起国内外的广泛关注。目前HIT太阳电池的领跑者日本三洋公司己将实用尺寸双面的HIT太......
随着第三代新型纳米薄膜太阳电池的问世,具有优良光电特性的纳米硅薄膜成为当前光伏电池技术研究开发的热点。纳米硅薄膜材料不仅......
采用PECVD技术制备a-Si：H/a-Si：H叠层双结非晶硅电池，研究了本征层厚度对叠层电池功率及短路电流的影响。通过调节顶电池和底电池本征......
采用AFORS-HET软件对超薄异质结太阳能电池的窗口层、本征层的掺杂浓度、厚度、带隙等参数进行了数值模拟和优化,结合实际具体分析......
本文研究一种可调带隙量子阱结构的柔性衬底太阳能电池及制备方法。本论文研究的太阳能电池具体结构是：Al电极／GZO／P型nc-Si：H／I层本征I......
本实用新型公开了一种硅光电检测器，硅光电检测器的N＋层的下表面设置有N型欧姆接触层，非掺杂本征层上端设有绝缘层，绝缘层上设置有与P＋......
采用afors-het数值模拟软件,针对a-Si（n）/a-Si（i）/c-Si（p）电池结构的非晶层主要参数,模拟研究并讨论了异质结电池的发射层厚度、发射层掺......
基于二维数值模型对GaN肖特基器件进行模拟计算，主要研究MIS结构的肖特基器件的界面层和本征漂移层对肖特基器件电学性质（电场强度分......
在实际的 PD 中,在 P 层和 N 层之间还夹入一个本征层(i 层),因而也称之为 PIN—PD(Positive—Intrinsic—Negative PhotoDiode)。......
报道了采用PECVD薄膜沉积技术制备的大电流、高开关比非晶硅薄膜二极管,在制备工艺温度低于200℃下,获得正向电流密度大于50 A/cm-......
带有本征非晶硅薄层的异质结（Hetero-junction with Intrinsic Thin-Layer,HIT）太阳电池,兼有晶硅电池高效率和薄膜电池工艺简单的优......
运用AFORS-HET软件对β-FeSi2（n）/a-Si（i）/c-Si（p）/μc-Si（p^＋）HIT型异质结太阳能电池的性能进行了模拟,并对各层参数进行了优化。模拟结果......
介绍了国际上非晶硅（ａ－Ｓｉ）太阳电池在提高转换效率和可靠性，降低生产成本，实现产业化方面的最新进展，通过对ａ－Ｓｉ材料质量及界面的不断改进，电池结......
P型衬底上双面HIT太阳能电池具有两个HIT层,使得它形成了两个方向相同的电场,并且两个HIT层之间本征层的存在,能够很好的降低各个......
氮化镓(GaN)基宽禁带半导体材料是制备高温、高功率、高频电子器件以及发光管、紫外探测器等光电子器件的重要材料。GaN基发光管在......
运用FORS-HET数值模拟软件,对a-Si(n)/a-Si(i)/c-Si:(p)/a-Si(i)/pm-Si(p^+)结构的太阳能电池进行模拟优化,依次讨论了不同结构,发......
