表面击穿相关论文
分别研究了微波磁场和斜入射微波电场对介质表面次级电子倍增的影响.利用particle-in-cell/Monte Carlo方法,获得了微波磁场和斜入......
对半导体表面的研究不泛其人,除了表面场效应是应是MOS器件的理论基础之外,另一主要原因是因为表面场效应能够对平面器件的PN结及......
本文计算了(Cd、Hg)Te光电二极管的单位面积电压灵敏度,即乘积R_VA及探测率D~*。假设:来自n区的空穴扩散电流超过穿越p—n结总电流......
本文系统地评论了关于高真空绝缘特性方面的最近的实验工作。给出了预击穿电导现象的大致情况;在小隙缝中,稳定的预击穿电流的出现......
综述了国内外真空中高功率微波（HPM）下介质窗表面击穿问题的研究现状和进展。在介质窗表面击穿实验研究方面,介绍了国外最具代表性的......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
