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用无电电镀的方法,在VHF-PECVD沉积获得的非晶硅薄膜表面形成镍诱导源,在550℃下退火若干小时,可以诱导产生微米量级的多晶硅晶粒.......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
详细研究了金属诱导非晶硅横向晶化时间、温度对晶化生长的影响.结果显示,晶化生长速度受温度影响较大,其最大生长速度在625℃附近......
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