转移电子器件相关论文
基于GaN转移电子器件最基本的工作模式——畴渡越时间模式,计算了GaN转移电子器件的理想最高振荡频率,得到该类型微波转移电子器件......
本文讨论了在CaAs 体效应器件中由于阴极附近深凹槽的掺杂分布引起的静止畴的超宽带负阻,在这一模型中电场分布不再是通常的三角形......
本文讨论了在转移电子器件中静止畴的四种模式的形成原因、特点及共稳定性。这四种静止畴的模式是:1.畴从阴极产生,向阳极渡越,然......
一、前言1952年,Welker第一次从寻找新型半导体材料的考虑出发,研究了Ⅲ—Ⅴ族化合物的若干物理特性,证实了这类化合物是半导体,......
第八届全国化合物半导体和微波光电器件学术会议Ｔｈｅ８ｔｈＣｏｎｆｅｒｅｎｃｅｏｆｔｈｅＣｏｍｐｏｕｎｄＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＭｉｃｒｏｗａｖｅＯｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃＤｅｖｉｃｅｓｉｎＣｈｉｎａ￥ＣｈｅｎＰｅｉｄｉ；ＷｕＸｉａｎｊｉｎｇ（Ｎａ...
Eighth National Compound Semiconductor and Microwave Optoelectronic Dev......
Ⅲ族氮化物半导体材料是直接带隙半导体材料，禁带宽度根据合金组分不同，可以在0.7～6.2 eV之间连续调节，覆盖了从红外到紫外的广阔光谱......
<正>转移电子器件是一种常用的微波固体功率源,制备转移电子器件常用的材料是n-GaAs单晶,目前国内对n-GaAs单晶质量的在线检测主要......
