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铂硅红外光相关论文
PtSi/P—Si红外探测器的优化设计与制作
本文对PtSI/p-Si红外探测器的结构进行了优化设计,并研制成功性能优良的器件。反向击穿电压达180V。在77K下,反偏4V的漏电为5×10^-6μA,对1.52μm的红外光,量子效......
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铂硅红外光
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