镓铟磷相关论文
本文简要介绍了GaInP/GaAsHBT的发展现状,用湿法工艺制作了自对准GaInP/GaAsHBT,其电流截止频率高达50GHz,性能优于我们在同等工艺......
研究了电压控制振荡器(VCO)的相位噪声与构成该振荡器的有源器件的低频噪声的关系,测试了SiBJT、AlGaAs/GaAs HBT和GaInP/GaAs HBT的低频噪声,并分析了各自低频噪声产生的原......
采用Aixtron 2600G3MOCVD设备外延生长了GaAs/GaInP材料,并结合金相显微镜、X射线衍射仪以及二次离子质谱仪系统地研究了掺杂源Te......
本研究设计了一种低强度半导体激光宫颈腔照射治疗仪。利用此装置可将激光准确导入病灶达到有效的治疗,本文介绍了该治疗仪的设计......
本文简要介绍了GaInP/GaAs HBT的发展现状,用湿法工艺制作了自对准GaInP/GaAs HBT,其电流截止频率高达50GHZ,性能优于我们在同等工艺条件下制作的AlGaAs/GaAsHBP。......
本文首次观察了用MOCVD方法生长的GaxIn1-xP外延层的能带隙移动,并给出了GaxIn1-xP外延层光荧光峰能量随组分x的变化关系,结果表明PL是探测混晶组分的简单而有效......
用SIMS对用于可见光激光器研制的GaAs/GaInP/AlGaInP材料系统进行了测试分析。适当选择质量特征峰,不仅清晰地展示出这种材料系统的结构,而且对非有意掺入的......
各种外延技术已被用来在GaAs衬底上生长GaxIn1-xP外延单晶薄膜。很多文献认为,在GaInP2/GaAs生长过程中会被C杂质污染。......
研究了无序GaInP样品的温度依赖关系,大低温PL谱中,谱线呈单峰结构。随着温度从15K升高到250K,说地宽从16meV增大到31meV,并且发生红移,同时强度减小两个数数量级......
报道了对有序GaxIn1-xP(x=0.52)样品的变温和变激发功率密度的PL谱的研究。在低温T=17K,低激发功率密度下,谱线呈双峰结构,在低激发功率密度下升高温度,低能端的......
报道了对p n型GaInP2 GaAs叠层太阳电池的研究结果 .采用低压金属有机物化学气相沉积工艺制备电池样品 .通过对GaInP2 顶电池中场......
栅漏击穿是限制GaAsMESFET输出功率并影响其可靠性的最主要因素之一,本文就改善GaAsMESFET击穿特性所进行的研究做了综述介绍,其中......
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