低温砷化镓相关论文
研究了在抽运激光光斑面积不同的情况下,两种小孔径光电导天线各自的辐射特性,并且将它们辐射出的太赫兹(THz)波进行了对比。目的......
我们对 PHEMT材料中应变沟道 In Ga As层生长条件进行了优化 ,并采用了 LT-Ga As中缺陷扩散的阻挡层。功率 PHEMT器件结果为在栅长......
本文报道了用lift-off技术将外延生长的低温砷化镓从生长衬底上揭下,并借助于范德华力将LT-GaAs外延膜贴附在新衬底上的方法研究.......
我们对PHEMT材料中应变沟道InGaAs层生长条件进行了优化,并采用了LT-GaAs中缺陷扩散的阻挡层.功率PHEMT器件结果为在栅长Lg=1.0μ......
研究了低温砷化镓的外延lift-off和基于范德华力在石英新衬底上贴附的实验方法:腐蚀掉100nm厚的AlAs牺牲层,将外延生长的500nm厚的低......
太赫兹时域光谱技术是一种在太赫兹频段内,广泛应用的光谱测量技术。这种技术可以用于许多物质的频谱分析,对于研究化学、半导体与......
对GaAs基调制掺杂异质结材料中作为沟道层的InGaAs的生长条件进行优化,并在缓冲层中嵌入LT-GaAs。功率PHEMT器件结果为在栅长Lg=1.7......
栅漏击穿是限制GaAsMESFET输出功率并影响其可靠性的最主要因素之一,本文就改善GaAsMESFET击穿特性所进行的研究做了综述介绍,其中......
期刊
对 Ga As基调制掺杂异质结材料中作为沟道层的 In Ga As的生长条件进行优化 ,并在缓冲层中嵌入LT-Ga As。功率 PHEMT器件结果为在......