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各种外延技术已被用来在ＧａＡｓ衬底上生长ＧａｘＩｎ１－ｘＰ外延单晶薄膜。很多文献认为，在ＧａＩｎＰ２／ＧａＡｓ生长过程中会被Ｃ杂质污染。
GaAs衬底上生长的GaInP_2外延单晶薄膜的杂质污染研究
【摘 要】
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各种外延技术已被用来在ＧａＡｓ衬底上生长ＧａｘＩｎ１－ｘＰ外延单晶薄膜。很多文献认为，在ＧａＩｎＰ２／ＧａＡｓ生长过程中会被Ｃ杂质污染。
【机 构】
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北京大学重离子物理研究所,中国民航学院基础科学部
【出 处】
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发光学报
【发表日期】
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1999年1期
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