用ＭＯＣＶＤ方法生长ＧａＩｎＰ及其掺杂材料，并对Ｓｉ的掺杂行为进行了较详细的研究。采用低温度冲层技术可有效地控制高温（〉７００℃）生长ＧａＩｎＰ及其掺杂材料的组分，从而......

对无序和有序ＧａＩｎＰ２样品分别作了变温和变激发功率密度光致发光谱的测量，无序样品表现为与激发功率密度无关的单谱峰结构，在不同温度区有不......

本文采用自制的LP-MOCVD设备，外延生长出CaInP2/GaAs/Ge叠层太阳电池结构片，对电池材料进行了X射线衍射测试分析。另外，采用二次离子......