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用MOCVD方法生长GaInP及其掺杂材料,并对Si的掺杂行为进行了较详细的研究。采用低温度冲层技术可有效地控制高温(〉700℃)生长GaInP及其掺杂材料的组分,从而......
对无序和有序GaInP2样品分别作了变温和变激发功率密度光致发光谱的测量,无序样品表现为与激发功率密度无关的单谱峰结构,在不同温度区有不......
本文采用自制的LP-MOCVD设备,外延生长出CaInP2/GaAs/Ge叠层太阳电池结构片,对电池材料进行了X射线衍射测试分析。另外,采用二次离子......