阈值电场相关论文
与传统开关相比,光电导开关具有响应速度快、时间抖动低、寄生电感电容小、结构简单,尤其是其耐高压、功率存储容量大等特性,使其......
用金作ＳＴＭ针尖，通过一个窄脉冲电压（～４Ｖ，～３００ｎｓ），可在原子平坦的Ａｕ表面稳定观察到原子堆的形成。用这种方法他们成功地进行了纳米书写。实验表明原子堆......
利用脉冲激光沉积技术制备出了掺氮和未掺氮的类金刚石薄膜。采用X射线衍射仪、喇曼光谱仪、扫描电镜观察了掺氮和未掺氮类金刚石......
采用二极管结构，对真空磁过滤弧源沉积非晶金刚石薄膜（amorphous diamond:a-D）的电子场发射性能进行了研究。结果发现，非晶金刚石薄膜......
磁约束聚变是将来有望解决人类能源问题的重要途径之一，其中托卡马克装置是目前研究最多、同时最有希望实现磁约束聚变的装置。然而......
场发射是利用电场将材料内部的电子拉出材料表面而成为自由电子。这是一种冷发射，它除电场外，既不需加热，也不会发光，因此是一种较好的......
氮化铝一维纳米材料由于拥有低电子亲和势和高的长径比，很可能在低电场下使电子逸出表面而实现场电子发射，所以备受人们关注。我们通......
1.我国研制成功25英寸彩色FED场致发射显示器rn由厦门火炬福大显示技术公司承担的国家“863”计划项目--“25英寸彩色FED场致发射......
利用等离子体增强脉冲激光沉积系统，在n型Si（100）基底上沉积了不同沉积气压下的纳米BN薄膜，利用红外光谱（FTIR）对BN薄膜进行了表征。通过......
用RF磁控溅射的方法在Si(100)基底上沉积了纳米氮化硼薄膜,然后分别用氢、氧等离子体对薄膜表面进行了处理,用红外光谱、原子力显......
采用冷压烧结的成型工艺制备了四针状氧化锌晶须（T-ZnOw）/聚四氟乙烯（PTFE）复合材料,研究了不同掺杂含量对复合材料的介电性能及抗静电......
详细论述了碳纳米管的场致发射特性,包括开启电场、阈值电场、发射电流密度、发射电流的稳定性及场发射电子能量分布等;阐述了场发......
采用多光子吸收、雪崩电离模型和多光子吸收与雪崩电离相结合的联合模型计算了几种紫外光学薄膜材料的激光诱导损伤阈值场强,得出......
用RF磁控溅射的方法在最佳沉积条件下在Si(100)基底上沉积了纳米氮化硼薄膜,然后对薄膜在真空度低于5×10-4Pa、温度分别为800......
本论文针对向列相液晶，从自由能的角度出发，分弹性形变和电场作用两个部分，在理论上分析了其在电场作用下的第一类弗雷德里克兹转变，得......
