阻变机理相关论文
当代大数据的开发,云计算、通信和电子产品的发展对信息存储器提出了更高的性能要求,信息存储市场对非易失性存储器的需求量与日剧......
忆阻器是一种具有记忆功能的无源电子器件,它具有电阻的量纲,但其忆阻值与输入电流或电压的作用历史密切相关。忆阻器被定义为除了......
随着数字通信在大数据以及物联网等领域的应用,推动了下一代存储设备的发展.阻变式存储器因其功耗低、尺寸可调、操作速度快等优点......
当前大数据及人工智能时代对信息储存及处理要求呈几何量级增长,爆炸式增长的信息需要超大容量的存储设备和高效的信息处理系统。......
阻变存储器(RRAM)由于其较低的操作电压、良好的可延展性和耐受性等优点在嵌入式RRAM、独立式RRAM等领域应用广泛,因此,关于阻变机......
近年来,铅基卤素钙钛矿因其制备工艺简单、载流子扩散距离长以及离子迁移速率快等优点而被应用于阻变存储器.然而,铅基卤素钙钛矿......
随着大数据、云存储、工业4.0、物联网技术及移动互联网时代的不断发展,半导体存储器是信息技术的重要载体之一。目前广泛采用的闪......
大数据时代,信息的处理和存储显得尤为重要。目前,主流的非挥发性存储技术以闪存为主,但其正面临写入电压高、擦写速度慢、能耗高......
人类存储信息的方式从远古的洞穴壁画,到纸质图书,再到现代的以二进制的方式存储文字、声音、图片等。然而在迎接信息大爆炸、物联......
忆阻器被认为是第四种电路基本元件,且被视为下一代非易失性存储器件。同时,它能够实现非易失性状态逻辑运算和类脑神经形态计算,......
随着科技的进步,人们对人工智能、大数据、云计算和物联网等新兴学科的关注度越来越高。这些学科的发展都是通过对于大量目标数据......
基于密度泛函理论采用第一性原理对Ti8O16、Ti8O15和Ti8O14三种晶体结构进行电子结构的模拟计算。通过模拟结果的分析推断氧空位的......
近年来，由于存储市场的巨大需求，非挥发性存储技术发展迅速，基于浮栅结构的传统Flash存储器在集成电路工艺中特征尺寸已经接近甚至达......
随着信息化时代的到来,大容量、低功耗和低成本的非挥发性存储器在电子市场中占据着越来越重要的位置。然而,目前基于浮栅结构的Fl......
随着高速信息处理技术对存储器件密度和速度的苛求,当前主流的Flash（基于电荷存储机理）存储器特征尺寸正在挑战物理极限,而同样具有......
随着集成电路工艺技术的不断发展,基于浮栅结构的闪存（FLASH）存储器在特征尺寸不断缩小中存在着电荷泄漏等问题,正遭遇到严重的技术......
金属氧化物中的阻变现象是当前固体物理研究领域受到人们广泛研究的前沿性基础课题,表现为金属氧化物介质材料在外电场控制下发生......
忆阻器是继电阻、电容、电感之后的第四种基本元器件，其阻值能随流经它的电荷的方向和数量的变化而变化。当电荷的变化量低于阻变条......
随着计算机技术和互联网行业的飞速发展，新型电子产品对信息存储容量的需求越来越高，研发新一代非易失性存储技术成为了迫切需要解决......
以磁控溅射方法沉积TiO2薄膜和Cu上电极层,制备Cu/TiO2/ITO阻变存储器元件。采用原子力显微镜、X射线衍射仪、X射线光电子能谱仪对......
在新型非易失性存储领域,结构简单、高速低耗的阻变存储器具有巨大优势和很强的竞争力.简要介绍了阻变存储器的结构及其两个电阻转......
采用溅射法制备的非晶结构HfO_x薄膜,其平均透射率超过80%,禁带宽度约为5.73 eV。以此制备的ITO/HfO_x/Ti阻变存储器,表现出稳定且......
采用射频磁控溅射的方法,基于不同氧分压制备的氧化铪构建了Ni/HfO_x/TiN结构阻变存储单元.研究发现,随着氧分压的增加,薄膜表面粗......
利用气相法生长ZnO纳米线,制备基于单根ZnO纳米线的存储器。研究表明,ZnO纳米线~10μm长,直径~50nm粗,呈六角纤锌矿结构,沿〈001〉......
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传统CMOS器件的尺度已经接近其物理极限,而新型纳米器件的发展很大程度能延续摩尔定律。因此新型纳米器件的研究对计算机的发展有......
将碳纤维表面改性后,依据其尺寸效应和表面特性,设计了一种十字交叉碳纤维忆阻器模型。分析了模型的阻变机理,定性地从理论上指出,......
在纳米电子器件时代，来自量子隧穿和电容耦合等问题的挑战，使得Flash半导体存储器的发展遇到瓶颈。阻变存储器是忆阻器在二值情况下......
忆阻器是目前材料和电子领域的研究前沿和热点,氧化物材料在忆阻器研究中具有重大价值。本文综述了近年来研究较多的几种典型氧化......
21世纪信息科技的发展进步,使得市场对存储器性能的要求越来越高。目前,闪存是市场上主流的存储技术,但是它面临寿命短、成本高、......
当前主流的非挥发性存储技术以基于电荷存储机制的浮栅型闪存为主,然而Flash存储器面临着写入电压较高、擦写速度较慢、功耗较大和......
忆阻器是除电阻、电容、电感之外的第四种电路元件,在信息存储、逻辑运算和神经网络等研究领域具有重要的应用前景.本文综述了忆阻......
为适应集成电路对存储器低功耗、高容量、高速度等要求，阻变存储器因为其简单的结构、操作功耗低和工艺简单并兼容于当今主流工艺而......
随着半导体技术飞速发展,大数据时代的到来给人类数据处理能力带来了新的挑战。基于晶体管的传统存储技术,无论器件尺寸上,还是在......
采用反应溅射法,室温下,在Cu/Ti/SiO2/Si衬底上制备了氧化钒(VOx)薄膜,并对薄膜进行450℃、30min的真空退火处理。采用X-射线衍射(......
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