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RF-溅射相关论文
β-SiC薄膜的低温沉积及特性研究
被誉为最有潜力的宽禁带半导体材料一SiC,因其具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速度高、介电常数小、抗辐射能......
学位
PECVD
Cat-CVD
RF-溅射
β-SiC
低温
纳米
衬底负偏压
分步偏压
场发射
RF-溅射制备氧化钒薄膜及其电致开关特性研究
为适应集成电路对存储器低功耗、高容量、高速度等要求,阻变存储器因为其简单的结构、操作功耗低和工艺简单并兼容于当今主流工艺而......
学位
氧化钒薄膜
RF-溅射
阻变存储器
电致开关特性
阻变机理
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