【摘 要】
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GaN的缓冲层漏电问题严重影响AlGaN/GaN异质结高电子迁移率晶体管(HEMT)的高频性能和夹断特性.引入高阻GaN做缓冲层可以有效解决漏电问题.利用低压金属有机物化学气相沉积(MOCVD)系统,通过引入InGaN插入层,在不降低GaN生长压力的情况下获得了非故意掺杂的高阻GaN薄膜,最高方块电阻达2.25×107Ω/sq.原子力显微镜证明高阻GaN薄膜具有平整、光滑的表面.低温光致发光光谱观
【机 构】
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大连理工大学物理与光电工程学院,大连,116024 大连理工大学物理与光电工程学院,大连,1160
【出 处】
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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
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GaN的缓冲层漏电问题严重影响AlGaN/GaN异质结高电子迁移率晶体管(HEMT)的高频性能和夹断特性.引入高阻GaN做缓冲层可以有效解决漏电问题.利用低压金属有机物化学气相沉积(MOCVD)系统,通过引入InGaN插入层,在不降低GaN生长压力的情况下获得了非故意掺杂的高阻GaN薄膜,最高方块电阻达2.25×107Ω/sq.原子力显微镜证明高阻GaN薄膜具有平整、光滑的表面.低温光致发光光谱观察到与碳受主相关的"蓝带"和"黄带",而二次离子质谱证实了非故意掺杂的碳浓度在生长InGaN插入层之后开始逐渐增加,在达到最大值3.19×1017cm-3之后保持稳定.通过与非故意掺杂n型GaN对比,发现InGaN/GaN界面处的张应变弛豫会引入大量的刃位错,从而诱导非故意掺杂的碳受主并入,进而补偿背景载流子,实现高阻GaN薄膜.
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