高κ栅介质相关论文
本文第一部分工作对单层二硒化钨（tungsten disulfide,WSe2）中的缺陷,包括本征缺陷与非本征缺陷,进行了系统表征。选择机械剥离（mecha......
采用射频反应磁控溅射法在p-Si(100)衬底上成功制备出SrHfON高k栅介质薄膜,并研究了Au/SrHfON/Si MOS电容的漏电流机制及应力感应......
提出了包括有限势垒,高度下反型层量子化效应以及多晶硅耗尽效应在内的直接隧穿电流模型，在该模型的基础上，研究了采用不同高介电常......
黑磷是一种单元素二维层状半导体材料,具有p型导电占主导的双极导电特性,室温下空穴场效应迁移率达1000 cm2/V×s,远大于二硫化钼......
随着半导体器件尺寸不断缩小,通过等比例缩小器件尺寸来提高器件性能的方法即将接近极限。因此,众多研究致力于发展新型器件结构来......
随着器件尺寸的不断缩小，栅极氧化层厚度也不断减小，这导致器件的栅极泄露电流迅速增大，从而影响器件的静态功耗、可靠性以及工作性能......
MOS器件（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor-MOSFET）的特征尺寸已经降到32nm以下,器件的沟道电容、工作电压、漏极......
