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碳化硅(SiC)被认为是最重要的宽禁带半导体材料之一,具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优越......
本文主要以6英寸的P型硅外延片的具体生产工艺进行了深入探讨.相关人员通过对相关工艺进行优化,对产生的非主动掺杂效应做好了科学......
本文论述了目前最为先进的晶闸管结终端造型技术——类台面负角造型技术,此技术与传统负角造型技术相比可以为6英寸特高压晶闸管节......
主要进行了6英寸（152.4 mm）高均匀性P型硅外延片的生产工艺研究。利用PE-2061S型桶式外延炉,在重掺硼的硅衬底上化学气相沉积P/P＋型硅......
