非主动掺杂相关论文
本文主要以6英寸的P型硅外延片的具体生产工艺进行了深入探讨.相关人员通过对相关工艺进行优化,对产生的非主动掺杂效应做好了科学......
主要进行了6英寸（152.4 mm）高均匀性P型硅外延片的生产工艺研究。利用PE-2061S型桶式外延炉,在重掺硼的硅衬底上化学气相沉积P/P＋型硅......
VDMOS因兼有双极晶体管和普通MOS器件的优点,是较为理想的新一代大功率半导体器件。当前正在向高耐压、高频率、大电流、低功耗的......
