AIN陶瓷相关论文
本文采用不同工艺制备致密的AlN陶瓷,并对其高频介电性能和热导率进行了研究,结果表明不同的添加剂对介电性能和热导率均有影响,但......
本实验以Y2O3为烧结助剂,分别采用热压和无压烧结技术制备ALN陶瓷.闪光法测试ALN陶瓷热导率在室温到200℃的温度关系.结果表明:ALN......
该论文选用自蔓延高温合成的AlN粉体为原料,利用空心阴极等离子技术,用YO—CaO—LiO这一三元系统作为烧结助剂,制备出了致密度高,......
AIN陶瓷具有优异的热、电、力学等综合性能,在许多高技术领域具有广泛的应用前景.但由于AIN陶瓷的一些固有特性限制,通常需要与其......
本文研究了Ａｌ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３＋ＳｉＯ２几种类型的添加剂对ＡＩＮ陶瓷力学性能和高温抗氧化性能的影响。结果表明：Ｙ２Ｏ３＋ＳｉＯ２为一种较好的ＡＩＮ陶瓷添加剂，材料在烧结过程中由于......
利用低温燃烧法合成出了平均粒度为100nm的AIN粉末，将合成的粉末采用放电等离子（SPS）技术进行低温强化烧结，研究Y2O3对烧结过程以及烧......
本文详细综述了国内外氮化铝粉末制备的主要方法；直接氮化法、碳热氮还原法及化学气相淀积法。通过比较不同制备方法得到高频等离子......
对AIN陶瓷材料制备过程中影响其性能尤其是导热性能的诸多因素进行实验，摸索出一套较合理的制备工艺，制造出性能较稳定，导热率高的AIN......
利用低温燃烧合成前驱物制备出平均粒度为100nm的AIN陶瓷粉末，比较了该粉末的常压烧结和放电等离子烧结的特性。实验表明：以合成的AI......
本文采用 Y_2O_3,CaO 为 AlN 陶瓷烧结的添加剂,测量了该材料电性能(包括体电阻率,介电常数,介质损耗因子)和热导性能以及这些性能......
用国产六面顶压机在5．0GPa、1200℃～1700℃条件下实现了以稀土氧化物为助剂的AIN陶瓷体的高压烧结。对制备的AIN高压烧结体进行了高......
<正> AlN陶瓷作为电子部件一种新型的导热基片,受到世界各国的重视。日、美等国在氮化铝应用市场上一直占主导和领先地位。AlN基片......
<正> AlN陶瓷有很高的热导性和电阻率,可用作半导体器件的陶瓷基片。工业上合成AlN粉主要采用Al_2O_3热碳还原法。这是一种成批生......
研究了 Al N陶瓷高温氧化对金属化结合强度的影响。在 80 0℃、 10 0 0℃、 12 0 0℃和 140 0℃下对 Al N基片进行了高温处理 ,并......
Saint—Gobain公司集中北美和欧洲的专家成立了Armor Synergy集团。目的是制造飞机和装甲车辆以及士兵所需的装甲，以提高美国军用装......
抗热震陶瓷表面的纳米肋结构.利用等离子刻蚀技术和酸腐蚀方法,在ZrB2-20%SiCp-5%AIN陶瓷表面制备出仿蜻蜓翼膜表面的超疏水纳米结......
探索了AlN陶瓷基板表面氧化状态对敷接强度的影响。结果表明:敷接过程中Cu[O]共晶液体对未经氧化处理的AlN陶瓷基板的浸润性较差,......
本文介绍了电子封装的各种类型，综述了电子封装技术与封装材料的现状及发展趋势，重点讨论了高热导ＡＩＮ基片金属化及ＡＩＮ－Ｗ多层共烧工艺。......
以自蔓延高温合成的AIN粉体为原料，Y2O3、Dy2O3、La2O3为添加剂，采用真空热压烧结工艺，实现了含有添加剂的AIN陶瓷体的低温烧结；研究了......
