ALXGA1-XAS相关论文
详细研究了温度和Al组分与AlxGa1-xAs横向氧化速率的关系,通过分析氧化机制和实验得到的氧化宽度与时间的线性关系,指出在较短时间......
用变分法分别计算GaAs/AlxGa1-xAs单量子阱和多量子阱在纵向(垂直于异质结界面的方向)外电场作用下激子的基态能级,讨论了电场对激子的峰移、偶极振子......
期刊
采用激光显微光致发光(PL)光谱仪测试了低Al组分AlxGa1-xAs的室温显微光致发光谱,研究了光致发光测试方法的特点,结合文献中报道的低Al......
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本文较系统和全面地总结了GaAs和AlxGa1-xAs材料的物理参数模型,包括介电常数、能带参数、载流子迁移率以及复合机制和寿命等,给出了易于应用的数学......
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半导体材料技术是电子与微电子技术产业的核心,从20世纪开始,随着电子学和微电子技术的飞速发展,半导体材料技术也进步迅速。其中G......
在湿法氧化过程中采用一种自制的新型红外光源显微镜和CCD相机俯视成像系统监测被氧化晶圆片上氧化标记点颜色的变化,通过CCD相机得......