详细研究了温度和Al组分与AlxGa1-xAs横向氧化速率的关系,通过分析氧化机制和实验得到的氧化宽度与时间的线性关系,指出在较短时间......

用变分法分别计算ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ单量子阱和多量子阱在纵向（垂直于异质结界面的方向）外电场作用下激子的基态能级，讨论了电场对激子的峰移、偶极振子......

采用激光显微光致发光（PL）光谱仪测试了低Al组分AlxGa1-xAs的室温显微光致发光谱，研究了光致发光测试方法的特点，结合文献中报道的低Al......

采用激光显微光致发光（PL）光谱仪测试了低Al组分AlxGa1-xAs的室温显微光致发光谱，研究了光致发光测试方法的特点，结合文献中报道的低Al......

本文较系统和全面地总结了ＧａＡｓ和ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ材料的物理参数模型，包括介电常数、能带参数、载流子迁移率以及复合机制和寿命等，给出了易于应用的数学......

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半导体材料技术是电子与微电子技术产业的核心,从20世纪开始,随着电子学和微电子技术的飞速发展,半导体材料技术也进步迅速。其中G......

在湿法氧化过程中采用一种自制的新型红外光源显微镜和CCD相机俯视成像系统监测被氧化晶圆片上氧化标记点颜色的变化，通过CCD相机得......