Antimonide相关论文
设计制备了GaSb基I型InGaAsSb量子阱激光器,其激射波长为2。75 μm。五元势垒材料AlGaInAsSb有效降低了势垒的价带能级并提高了价......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
Effect of Transition Metal on the Electrochemical Performances of Some Intermetallic Anodes for Lith
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
近年来,锑化物Ⅱ类超晶格材料在外延生长和发光性质等方面的研究取得了巨大的进步,为获得高性能中红外波段光电子器件奠定了重要的......
１ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＴｈｅＧａＩｎＡｓＳｂａｎｄＡｌＧａＡｓＳｂｑｕａｔｅｒｎａｒｙａｌｏｙｓｍａｔｃｈｅｄｔｏＧａＳｂｓｕｂｓｔｒａｔｅｓｈａｖｅａｇｒｅａｔｐｏｔｅｎｔｉａｌｉｔｙｆｏｒｌｏｎｇｗａｖｅｌｅｎｇｔｈｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒ.........
InSb是制作3～5 μm红外探测器的重要材料.在GaAs衬底上外延生长InSb,存在的主要问题在于两种材料间14.6%的晶格失配度,会引入较大的......
研究了InP基InGaAsSb外延材料受生长温度和Ⅴ/Ⅲ比的影响。实验中利用高能电子衍射（RH-HEED）监测获得了合适的生长温度和Ⅴ/Ⅲ比,采......
...
In recent years, the narrow bandgap antimonide based compound semiconductors (ABCS) are widely regarded as the first can......
锑化物激光器在2～5μm波段具有广阔的应用前景。综述了锑化物激光器的研究进展，重点论述了材料生长、结构设计、器件工艺、封装技术......
热电器件由于结构简单、可靠性好、无污染等优点,在微电子、能源等领域具有广泛的应用。探索具有高热电优值（ZT）的新材料是近些年来......
１ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＴｈｅＧａＳｂｓｉｎｇｌｅｃｒｙｓｔａｌｓａｒｅｏｆｔｅｎｕｓｅｄａｓｔｈｅｓｕｂｓｔｒａｔｅｍａｔｅｒｉａｌｓｆｏｒｐｒｅｐａｒｉｎｇｅｐｉｌａｙｅｒｓｏｆｌｉｇｈｔｅｍｉｔｉｎｇａｎｄｌｉｇｈｔｄｅｔｅｃｔｉｎｇｄ.........
