借助ＳＩＭＳ技术，系统地分析了８０ＫｅＶ，２．５×１０＾１４，５×１０＾１４，１×１０＾１５，２×１０＾１５和３×１０＾１５ｃｍ＾－２ＢＦ＾＋２注入多晶桂栅在９００℃，３０ｍｉｎ热退火条件下，氟在多晶硅栅中的分布剖面，并对氟在多晶硅和......