BiNbO4相关论文
金属氧化物及其复合氧化物因其化学稳定性及相对低廉的合成成本而成为比较流行的光催化材料[1],其中传统的陶瓷材料BiNbO4因具有良......
采用高温固相法合成出正交相和三斜相结构的BiNbO4∶Eu3+样品,利用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱、吸收光谱和荧光光谱对样品的结构和......
就Sm部分取代BiNbO4陶瓷中的Bi对其烧结性能及微波介电性能的影响进行了研究。实验结果发现,随Sm取代量的增加,BiNbO4陶瓷的烧结温......
此文用密度泛函理论的平面波赝势方法研究Bi Nb O4的电子结构和光学性质.获得了Bi Nb O4是一种禁带宽度为2.74 e V的直接带隙半导......
In the present work,a third form,the so-called HP-BiNbO4 synthesized at high pressure and high temperature is investigat......
讨论了CuO添加对BiNbO4微波介质材料的结构和性能的影响.结果表明,添加CuO可促进晶粒生长,使得BiNbO4材料在较低的温度下烧结成瓷,......
研究了掺杂Nd和在不同气氛中烧结对BiNbO4材料烧结特性及微波介电性能的影响。结果表明，掺杂Nd虽然会提高BiNbO3材料的介电常数εr，......
研究了掺杂Nd和在不同气氛中烧结对BiNbO4材料烧结特性及微波介电性能的影响。结果表明，掺杂Nd虽然会提高BiNbO3材料的介电常数εr，......
在BaTiO3（BT）-Nb2O5-ZnO三元系统中加入BiNbO4以获得中温烧结的X8R陶瓷材料。研究发现，BT陶瓷系统的室温介电常数随BiNbO4掺杂量的增......
在BaTiO3（BT）-Nb2O5-ZnO三元系统中加入BiNbO4以获得中温烧结的X8R陶瓷材料。研究发现，BT陶瓷系统的室温介电常数随BiNbO4掺杂量的增......
研究了烧结助剂ZnO-B2O3对BiNbO4陶瓷烧结特性及介电性能的影响.结果表明:ZnO-B2O3形成晶界玻璃相存在于晶粒之间,促进烧结,大幅度......
为了研究烧成过程中可能的Bi挥发对BiNbO4系材料造成的影响，对A位非化学计量的Bi(1+x)NbO4材料烧结性能、晶相结构、显微织构及微波......
综述了低温烧结微波介质陶瓷BiNbO4的近期研究进展,总结了在BiNbO4陶瓷的研究中所采用的3种基本方法:氧化物掺杂、离子置换以及与......
在过去的十年,三元富锂负极材料(Li-Ti-O)由于其优异的循环性能和高功率在锂离子电池负极材料领域得到了广泛的研究,但较低的比容......
本文提出一种水热-煅烧法合成BiNbO4的新方法。以Bi(NO3)3·5H2O和NbCl5为原料,用水热法(pH=9,220℃,24 h)制得前驱体Bi5Nb3O1......
对不同CuO添加量的BiNbO4陶瓷做了大气和N2气氛烧结研究。结果表明BiNbO4陶瓷对低氧分压气氛非常敏感。BiNbO4在高纯N2气氛下烧结......
采用传统固相反应法制备样品，研究了SiO2掺杂对BiNbO4烧结特性、微观结构、介电性能的影响。利用HP8753E网络分析仪测试样品微波性......
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自史前时期起，人们一直因单晶宝石的美丽而视如珍宝。自然界中的物质绝大多数都是以多晶或微晶的形式存在的，像天然宝石这样大尺寸且......
光催化剂BiNbo4采用传统固相反应分别在900和1300℃下进行制备。通过XRD粉末衍射和UV-vis吸收光谱分析,表征了样品的物相和光谱吸......
本文研究了ＢｉＮｂＯ４粉料合成温度及烧结助剂ＣｕＯ－Ｖ２Ｏ５添加程度对ＢｉＮｂＯ４陶瓷烧结特性及微波介电性能的影响，结果表明，合成温度为８５０℃／２ｈ及合成后加入烧结助剂ＣｕＯ－Ｖ２Ｏ５的ＢｉＮｂＯ４陶瓷......
本文研制Ｖ２Ｏ５和Ｖ２Ｏ５－ＣｕＯ复合添加的ＢｉＮｂＯ４微波介质陶瓷。实验结果表明：ＣｕＯ－Ｖ２Ｏ５复合添加，比单独加入Ｖ２Ｏ５能大幅度地降低ＢｉＮｂＯ４陶瓷的烧结温度，有效地抑制晶粒异常生长，促使瓷......
就Sm部分取代BiNbO4陶瓷中的Bi对其烧结性能及微波介电性能的影响进行了研究。实验结果发现,随Sm取代量的增加,BiNbO4陶瓷的烧结温......
