浮区法相关论文
氧化镓(β-Ga2O3)是一种超宽禁带氧化物半导体材料,其相关研究起源于日本.21世纪初,日本东北大学利用浮区法获得了多晶向的高质量......
浮区法具有无污染生长的优点而成为一种生长高质量、高纯度单晶材料的重要生长技术.微重力环境下,由于重力场的极度微弱,浮力对流......
无机闪烁晶体在射线或者高能粒子的作用下会发出可见光或紫外光，叫做闪烁效应。通过这种闪烁效应，可以将电离辐射能转化为光能，实......
本文使用目前国际最先进的4椭球反射腔式红外聚焦单晶炉（FZ-T-10000-H-VI-VP）,通过光浮区法对稀土过渡族氧化物LaCoO3体系进行了晶体......
通过光学浮区法生长了直径为6mm,长度约为75mm的晶体,结构分析表明实验样品呈单相的正交钙钛矿结构,并通过劳厄定向仪对ErFeO3晶体......
本文首先仔细地介绍了浮区法生长Y掺杂的(Tb1-xYx)2Ti2O7单晶(x=0,0.1,0.5)的条件,并基于高品质的单晶样品,详细地研究了其磁性质......
本文研究了用助熔剂法和浮区法两种方法生长Nd2-x Cex CuO4(NCCO)单晶的生长条件和NCCO单晶的热传导性质.用助熔剂法方法可以生长......
由于Nd2Fe14B为异成分熔融化合物,同时Nd极易和氧发生反应使得其单晶制备异常困难。通过研究伪二元相图,针对Nd2Fe14B的自身特点,......
以固相反应法制备了致密的不同Ce含量的Ce:YAG陶瓷料棒,再用光学浮区法将这些Ce:YAG陶瓷料棒生长成Ce:YAG晶体。XRD结果表明,Ce:YA......
本文针对S=1/2 J1-J2阻挫自旋链材料Ca_2Y_2Cu_5O_(10)的浮区法单晶生长条件进行了详细的探究,并研究了其磁性质、比热、热导率行......
采用光学浮区法生长了尺寸f（79 mm）×（3035 mm）的β-Ga2O3:In单晶。X射线衍射物相分析表明,β-Ga2O3:In单晶仍属于单斜晶系。研究了不......
常规的低成本、超宽范围的红外偏振仪存在不足之处。在复盖整个中红外和远红外光谱区上,只能提供线格栅器件,要覆盖整个光谱范围,......
丹麦Topsil半导体材料公司建立了一条高阻率Si衬底新生产线。他们用浮区法生长高阻率Si单晶衬底。用于微波、毫米波领域。该公司......
报道了激光二极管抽运下的高效率Yb:YGG连续及锁模激光器。实验中采用光学浮区法生长的高质量Yb:YGG激光晶体,在6.7 W的入射抽运功......
(InNb)0.1Ti0.9O2陶瓷不仅具有高介电系数，同时具有较小的介电损耗，是一种极具应用前景的巨介电材料.这种优异的介电性质的产生......
β-Ga2O3作为宽禁带半导体氧化物,近年来在GaN基LED器件及功率器件取得了一定的进展.采用浮区法生长了质量较好的β-Ga2O3单晶......
InxGa1-xSb三元合金半导体晶体作为一种新型的半导体材料,具有晶格常数和吸收波长可调节的特性,其晶格常数和吸收波长可以分别在6.......
学位
本文利用浮区法制备了Ｔｅｒｆｅｎｏｌ－Ｄ，通过磁致伸缩系数的测定，发现利用浮区法制备的样品在一定的压应力下有“跳跃效应”。Ｘ射线衍射、劳埃背反射表......
为了优化外加磁场对对流控制作用,该文主要研究了轴向载流线圈磁场,横向四载流线圈磁场及其组合磁场对液桥热表面张力对流的控制。......
利用光学浮区法制备了自旋梯子化合物Sr14-xCaxCu24O41(SCCO)系列单晶样品,研究了氧气压对晶体生长的影响和制备条件对晶体性质的......
在无籽晶的生长条件下,利用光学浮区定向凝固炉制备了Ti-44.5Al-3Nb-0.8Si-0.2C合金定向试棒。从试棒中切取择优取向的晶粒作为籽......
作为一种宽禁带半导体材料，β-Ga2O3单晶已经在光电子领域受到了广泛的关注。 半导体功率电子器件是电力电子装置的核心部件，其相......
在现有的工程实践中,通常采用浮区法晶体生长技术制备高质量晶体,用于模拟浮区法晶体生长过程的科学模型称为液桥,周围气体的流动......
自1986年发现铜氧化物高温超导体，已有30年。此后在2008年又发现了铁基高温超导体。但这些非常规超导体的微观机制问题至今仍未解决......
制备高质量的高温超导单晶样品对揭示一些本征的物理现象,研究高温超导机理有着非常重要的意义.该论文侧重于对三种高温超导氧化物......
本论文系统地研究了多晶和单晶钙钛矿型锰氧化物中顺磁态的电荷局域机制对于庞磁电阻(CMR)效应的影响和大的磁热效应，主要结果如下：......
本论文系统地研究了双层钙钛矿型锰氧化物单晶的磁跳变和玻璃磁行为的起源，同时，我们对La1-xNdxMn0.8Cr0.2O3(X≤0.3)系列多晶样品的......
基于赵忠贤院士等人提出的“魔数“载流子浓度的概念以及他与何北衡(PH Hor)教授、YH Kim教授等人合作提出的复合载流子模型，本组最......
(InNb)_(0.1)Ti_(0.9)O_2不仅具有高介电常数和低介电损耗,而且温度稳定性良好,因此被视为一种有望替代传统介电材料的新型巨介电......
通过数值计算表明了在空间浮区法晶体生长中利用非均匀磁场抑制自由面附近流体运动 ,这种局部作用来均匀减弱整体流场的有效性 ,及......
在微重力条件下用浮区结晶法生长半导体单晶硅独具优势,但自由界面的温度梯度所诱发的热毛细对流对晶体质量的影响却更为突出.文中......
作为一种重要的磁功能材料,正交钙钛矿结构RFeO3（R为稀土元素）稀土铁氧体具有独特的磁性能,在稀土铁氧体中发现的激光诱导超快自旋重......
对于浮区热和浓度毛细对流问题,溶化界面处可以有给定浓度或给定浓度通量两类边界条件,它们给出的液桥内浓度分布有很大差异。本文......
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采用浮区法生长了质量较好的Si：β-Ga2O3单晶，直径约为8mm，长度约为2cm。进行了x射线粉末衍射和x射线荧光分析，结果表明所得Si：β-Ga2O3......
本文报导了用浮区法生长Y_3Fe_5O_(12)(YIG)晶体的生长工艺。分析了用这种方法生长YIG晶体的优点。同时测量了用浮区法生长的YIG晶......
采用光学浮区法生长了质量较好（Y0.99-xCe0.01Gdx）3Al5O12-Al2O3共晶,直径约为7 mm,长度约为25 mm。通过XRD分析,结果表明共晶中只有......
采用光学浮区法成功地生长出了质量良好的共晶。通过XRD分析，确认了共晶组成中仅含有Al2O3 和YAG两种晶相，发现随着Cr的掺入，两相的晶......
用移动熔剂浮区法研究从Yb_2O_3-Fe_2O_3体系中生长Yb_3Fe_5O_(12)的可能性,分析了Yb_3Fe_5O_(12)为唯一固相区域内的大致相关系。......
考虑晶体生长界面的变形,利用有限体积方法对侧面加热的空间全浮区法硅单晶生长中熔区内的热质传输、流场及晶体生长界面位置和形......
通过浮区法制备得到LPS：0.5%Ce单晶样品,并对其包裹体、开裂、闪烁和光学性能进行了研究,获得了晶体的电子探针谱、透过谱、77~500 ......
