本文提出一种用X射线三轴晶衍射测量C-GaN晶格常数的新方法.实验测定完全弛豫的C-GaN的晶格常数为4.5036±0.0004A,这非常接近理想......

ＡＥＳ、ＸＰＳ分析和ＸＲＤ谱结果证明：采用低能双离子束淀积（ＩＢＤ）技术，在ＧａＳｂ（００１）衬底上共淀积生长了闪锌矿结构ｃ－ＧａＮ．Ｘ光Φ扫描显示，生长薄膜与衬底晶向匹配关系是ｃ－ＧａＮ［１１０］／／ＧａＳｂ［１００］．由此可以......