SOI（Silicon-on-Insulator）高压LDMOS（Lateral Double-diffused MOSFET）器件具有寄生电容和隔离面积较小，与体硅工艺兼容以及完全介质隔......

本论文设计工作来源于西安电子科技大学的科研项目“深亚微米电源管理类集成电路及各种数模混合集成电路的关键技术理论研究与设计......

提出了一种新型的欠压锁定电路。该电路结构简单,可用于浮动电源轨,具有精确的迟滞特性,占用面积小,且与CMOS工艺完全兼容。采用0.......