本文提出一种沟道长度为0．125μm 的异质结CMOS（HCMOS）器件结构。在该结构中，压应变的SiGe与张应变的Si分别作为异质结PMOS（HPMOS）与异质......

本文提出一种沟道长度为0.125μm的异质结CMOS(HCMOS)器件结构。在该结构中,压应变的SiGe与张应变的Si分别作为异质结PMOS(HPMOS)......