CMOS带隙基准相关论文
该文设计了一种应用于CMOS带隙基准的软启动电路,使电压基准能够快速、稳定地启动,并在其达到1V左右时自动关闭,对基准电路不产生......
介绍了一个新型PTAT电流微调并具有关断模式的CMOS带隙基准源,通过数字控制信号逻辑的改变,可实现1.20~1.27V的基准输出。该带隙基准源......
分析了一种无需低阈值电压器件的低压CMOS带隙基准源结构,通过具体电路分析和设计验证了该结构相比于传统的基准源结构可以大大降......
提出一种输出低于1V的、无电阻高电源抑制比的CMOS带隙基准源(BGR).该电路适用于片上电源转换器.用HJTC 0.18μm CMOS工艺设计并流片......
传统的带隙基准使用PTAT电压对三极管Vbe的温度系数进行线性补偿采得到与温度无关的基准电压,但由于忽略了Vbe的曲率系数γ的影响,......
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