由于AlGaN/GaN异质结二维电子气密度高,加之GaN材料具有击穿电场强度高、电子饱和漂移速率高等优点,因此GaN基HEMT在高频大功率电......

实验中采用三种剂量注入ＳＩＭＯＸ材料中，注入剂量分别为５×１０＾１２Ｆ＾＋／ｃｍ＊＾２，５×１０＾１３Ｆ＾＋／ｃｍ＾２，１×１０＾５Ｆ＾＋／ｃｍ＾２，用ＳＩＭＳ技术了Ｆ在材料中的浓度分析，结果表明，随着注Ｆ＾＋能量和剂量的改变，Ｆ＾＋在材......