SIMOX材料相关论文
研究了埋氧层内注氮对SIMOX(SeparationbyImplantedOxygen)SOI(Silicon-on-Insulator)材料抗辐射性能的影响.实验采用Co-60源对由S......
在表层硅厚度为180um的SIMOX材料上,用局部增强氧化隔离等工艺研制了沟道长度为2.5μm的全耗尽CMOS/SIMOX器件。该工艺对边缘漏电的抑制及全耗尽结构对背沟漏......
实验中采用三种剂量注入SIMOX材料中,注入剂量分别为5×10^12F^+/cm*^2,5×10^13F^+/cm^2,1×10^5F^+/cm^2,用SIMS技术了F在材料中的浓度分析,结果表明,随着注F^+能量和剂量的改变,F^+在材......
用扩展电阻(SRP),二次离子质谱(SIMS)等方法,测量了SIMOX样品的各层结构、电特性和杂质分布。讨论了不同方法的测量,说明了SIMOX材料顶部硅层的扩展缺陷和杂......
讨论了由国产LC-14型强流氧离子注入机制备的SIMOX(separation by implanted oxygen)材料薄膜厚度的测量和分析.采用红外吸收光谱......
SIMOX材料中隐埋氧化层的针孔漏电可使器件完全失效,本文用CuSO4电解电镀法测定了不同工艺条件制备的SIMOX材料BOX中的针孔密度并用改进的二维程序定性......
利用光致光发谱(PL)和二次离子质谱(SIMS)检测了不同退火条件下处理的SIMOX材料的顶层硅膜,实验结果显示,SIMOX顶层硅膜的PL谱有三个峰:它们是能......
通过超声搅拌的增强化学腐蚀,结合普通的光学显微镜研究不同制备参数的形成的SIMOX材料顶层单晶硅的位错缺陷,讨论了位错密度同SIMOX制备工艺的......
在注入能量为170keV,注入剂量从0.6×10^18/cm^2到1.8×10^18/cm^2范围,改变注入方式,利用TEM技术观察了形成SIMOX的结构,注入剂量为0.6×10^18/cm^2时,可以获得连续的SiO2埋层且顶部硅......
对用多次注入与退火技术制成的SIMOX材料制备的N沟MOSFET进行了60Coγ射线累积剂量辐照试验,测量了不同辐照偏置条件和辐照剂量下的亚阈特性曲线和阈......
本文用紫外光致荧光法无损检测孙同工艺参数制备SIMOX材料正面和背面的铁杂质沾污程度,得出了这些样品铁杂质浓度的相对大小。......