F等离子体刻蚀在AlGaN/GaN异质结的高电子迁移率晶体管(HEMT)栅场板结构的栅槽刻蚀工艺中广泛采用,F等离子的栅槽过刻蚀时间对......

理论模拟了不同GaN沟道厚度的双异质结（AlGaN/GaN/AlGaN/GaN）材料对高电子迁移率晶体管（HEMT）特性的影响,并模拟了不同F注入剂量下用该......

理论模拟了不同GaN沟道厚度的双异质结(AlGaN/GaN/AlGaN/GaN)材料对高电子迁移率晶体管(HEMT)特性的影响,并模拟了不同F注入剂量下......