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通过刻蚀法制备了较高比表面积的、分散性良好的尖晶石相纳米Co3O4,能在150℃实现对CO 的完全转化,相比传统的直接沉淀法有明......
提出了提高硅深反应离子刻蚀的新方法.该方法在硅的侧壁PECVD淀积SiO2,硅的底部采用热氧化的方法形成SiO2.由于在刻蚀中硅与SiO2的......
微通道电泳芯片的基体材料主要有硅片、石英玻璃、普通玻璃和有机高聚物等,每种材料有不同的制作方法.本文以玻璃为基体材料制作电......
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本论文开发并优化了0.18微米技术侧壁（Spacer）的干法刻蚀工艺,通过利用公司现有设备,改进原工艺不足,开发出满足产品要求的刻蚀工艺......
肖特基二极管正面顶层金属结构设计为Ag、Ti、Ti-W、Ni-Cr四层金属,四层金属在单层湿法刻蚀过程中必须选择刻蚀本层不刻蚀其它层金......
氮化钽薄膜在微电子工艺中的应用比较广泛：在标准CMOS后道的铜互连技术中,作为阻挡层被应用；由于氮化钽与高K介质的良好兼容性,在45n......
