GEXC1-X薄膜相关论文
利用射频磁控反应溅射以Ar、CH4 为原料气体 ,在较宽的工艺参数范围内制备出了GexC1-x薄膜。利用X射线衍射 (XRD)、X射线光电子谱 ......
用磁控反应溅射 (RS)法制备出 Gex C1 - x薄膜 ,它的折射率可在 1 .6～ 4.0之间变化 .设计出不同厚度的 Gex C1 - x均匀增透膜系和非......
利用射频磁控反应溅射法，以Ar,CH4为原料气体，在较宽的工艺参数范围内制备出了GexC1-x薄膜，用于涉法测量了薄膜的厚度，对GexC1-x薄膜的......
