射频磁控反应溅射相关论文
利用慢正电子研究了不同氧压下射频磁控反应溅射制备的ZnO样品,观察到ZnO中本征缺陷随反应气体中O2比例(PO2)的变化关系.结果表明:......
该文主要对大曲面镀膜技术中的厚度均匀性及其ZnS头罩上镀制GeC薄膜的相关问题进行了研究.首先,在ZnS衬底上设计了GeC增透保护膜系......
离子存储层(对电极层)是全固态电致变色器件的关键膜层,其作用是存储和提供电致变色所需的离子,维持电荷平衡,因此要求它具有较大......
无线通信技术的迅猛发展对频率器件提出了微型化、低功耗、高性能等要求。传统射频频率器件的解决方案主要是微波介质陶瓷和声表面......
采用射频磁控反应溅射法,Ar气为溅射气体,N2气为反应气体,用高纯石墨靶在Si(100)片上制备了掺氮类金刚石薄膜,采用X射线光电子能谱......
采用射频磁控反应溅射法在K9玻璃衬底上制备了掺钼氧化铟(Mo:In2O3,IMO)透明导电薄膜,研究了不同沉积温度条件下IMO薄膜的晶体结构......
采用射频磁控反应溅射法结合热退火处理技术制备纳米硅镶嵌氮化硅(ncSi-SiNx)复合薄膜.通过X射线能谱(EDS)、X射线衍射仪(XRD)的测......
采用射频磁控反应溅射技术,以Er2O3和Si为靶材,制备了SiOx∶Er薄膜材料,在不同温度和不同时间下进行退火处理,室温下测量了样品的......
用磁控反应溅射 (RS)法制备出 Gex C1 - x薄膜 ,它的折射率可在 1 .6~ 4.0之间变化 .设计出不同厚度的 Gex C1 - x均匀增透膜系和非......
利用射频磁控反应溅射方法,以A1—Tm舍金为靶材,Si(100)为衬底,制备了铕(Tm)掺杂的氮化铝(AlN)薄膜.利用X-射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)研......
采用射频磁控反应溅射在Si(100)衬底上制备了ZnO/AlN双层膜。使用X射线衍射仪、原子力显微镜(AFM)、LCR测试仪及荧光分光光度计等仪器......
采用射频磁控反应溅射法制备a—Si/SiN。超晶格薄膜材料,热退火后形成纳米Si晶粒。把nc—Si/SiN,薄膜作为饱和吸收体插入Nd:YAG激光器腔......
采用射频磁控反应溅射技术与热退火处理制备了Si/SiN;超晶格材料。利用吸收光谱和X射线衍射对材料进行表征。通过皮秒脉冲激光单光束......
为了研究纳米硅镶嵌氮化硅薄膜材料的被动调Q特性,采用射频磁控反应溅射法结合热退火处理在单晶硅衬底上制备该薄膜,用该样品作为可......
为研究氮化硅薄膜发光材料的制备工艺及其光致发光机制,实验采用射频磁控反应溅射技术与热退火处理制备了纳米硅镶嵌氮化硅薄膜材料......
采用射频磁控反应溅射法结合热退火处理技术制备纳米硅镶嵌氮化硅(ncSi-SiNx)复合薄膜。通过X射线能谱(EDS)、X射线衍射仪(XRD)的测定,对......
采用射频磁控反应溅射法制备氧化钇(Y2O3)薄膜。系统研究了工艺参数对Y2O3薄膜沉积速率的影响规律,使用X射线光电子能谱仪(XPS)分析表征......
采用射频磁控反应溅射法在单晶硅片上制备了氧化硅(SiOx)薄膜,分析了薄膜的主要成分,研究了制备工艺对薄膜表面形貌和电击穿场强的影......
采用射频磁控反应溅射法,以高纯Al为靶材,高纯O2为反应气体,在不锈钢和单晶Si基片上成功地制备了氧化铝(Al2O3)薄膜,并对氧化铝薄膜的沉......
采用射频反应磁控溅射法在Mo电极上沉积了AlN薄膜。研究了溅射气压、靶基距、溅射功率、衬底温度及N2含量等不同工艺条件对AlN薄膜......
采用射频磁控反应溅射在单晶Si(100)上沉积了一系列不同Al含量的(Zr,Al)N薄膜,利用能谱仪(EDS)、X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)和微力学探......
本文利用射频磁控溅射法,以高纯N2、Ar混合气体为溅射气体,用高纯石墨靶在Si(100)基片上制备出掺氮的类金刚石薄膜(DIE:N)。拉曼光谱(Raman......
采用射频磁控反应溅射技术制备不同Si层厚度的a—Si/a—SiNx超晶格材料。利用红外光谱(IR)、能谱(EDS)、X射线衍射谱(XRD)、吸收谱和光致......
采用射频磁控反应溅射法制备了氮化硅薄膜。利用X射线衍射谱(XRD)、红外光谱(IR)、能谱(EDS)和光致发光谱(PL),通过与氮气中和空气中退火薄......
金刚石具有高透过率、高热导率、高的化学和热稳定性以及优异的力学性能,是制造高速飞行器红外窗口和头罩的理想材料。然而,在高速飞......
利用射频磁控反应溅射技术生长出具有高度晶面(0002)取向的ZnO外延薄膜。通过AFM、XRD、吸收光谱和荧光光谱等测试手段,分别研究分析......
利用金属Hf与氧气反应溅射制备了HfO2薄膜,采用X射线光电子能谱分析(XPS)、原子力显微镜(AFM)等手段对薄膜的组成成分以及表面形貌......
溅射总气压一定,通过改变氧氩气体的比例,用射频磁控反应溅射法在玻璃衬底上制备VOχ薄膜。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X射......
以石英玻璃和抛光硅片做为衬底材料,采用射频磁控反应溅射法,通过改变Ar/N2流量比得到了一系列氮化硅薄膜。用分光光度计对薄膜的光学......
用抛光铝合金作衬底在平行孪生靶的磁控溅射设备中制备出二氧化钛薄膜,薄膜厚度为500nm,XRD测量表明二氧化钛薄膜为锐钛矿型(anata......
采用射频磁控反应溅射法结合热退火处理技术制备纳米硅镶嵌氮化硅(nc-Si/SiNx)复合薄膜。通过X射线能谱(EDS)、红外光谱(IR)、X射线衍射(X......
采用射频磁控反应溅射法在不同氧分压条件下制备了氮氧化铪薄膜,薄膜沉积过程在氧气、氮气和氩气的混合气氛中进行,所用衬底为多光......
文章用射频磁控反应溅射法,以钨靶为溅射靶材,在玻璃和ITO衬底上分别制备了WO3薄膜,氧气和氩气的流量比值为5∶25,工作气压为1.5Pa......
采用射频磁控溅射法制备HfSixOy薄膜,系统研究工艺参数对HfSixOy薄膜沉积速率的影响规律。对沉积态和退火HfO2和HfSixOy薄膜的结构......
采用射频磁控反应溅射技术,以N2和Ar为反应气体在普通玻璃表面沉积了氮化硅(SiN)薄膜;利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、X射线能量耗......
采用射频(RF)磁控反应溅射法制备出氮化硅薄膜.从红外吸收光谱可见,氮气参加了反应并生成Si-N键,薄膜中含有少量的Si-O键和Si-H键;......
纤锌矿结构氮化铝(AlN)薄膜作为一种重要的Ⅲ族氮化物半导体材料,具有许多优异的物理化学性能,使得AlN薄膜成为碳化硅基和蓝宝石基光电......
头罩是红外制导空-空导弹的重要部件,蓝宝石具有的一系列优异性能,决定了它是目前作为中波红外窗口/头罩的最佳材料。然而,限于目前的......
γ-TiAl合金是一种优质的高温结构材料,其相对密度不到镍基合金的50%,具有轻质、高比强度、耐摩擦磨损等突出优点,被广泛应用于航......