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报道了GSMBE方法生长波长1.84um的InGaAs/InGaAsP/InP应变激光器，40um条宽、800um腔长的平面电极条形结构器件，室温下以脉冲方式激射......

报道了气态分子束外延（GSMBE）生长1．8－2．0μm波段InGaAs/InGaAsP应变量子阱激光器的研究结果。1．8μm波段采用平面电极条形结构，已制备成......

用GSMBE法生长了Si/SiGe/Si异质结构材料，采用双台面结构制造了SiGe/SiNPN异质结晶体管，在发射结条宽为4μm，面积为4μm×18μm的......

在国产ＣＢＥ设备上，用ＧＳＭＢＥ方法首次在国内成功地生长出了具有不同阱宽（１￣１８ｎｍ）的高质量的Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ／ＩｎＰ匹配量子阱结构材料，低温光致发光谱测试结果表明：量子阱材料发......

在国产第一台ＣＢＥ设备上，用ＧＳＭＢＥ技术在国内首次研究了ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ匹配和应变多量子阱超晶格材料的生长，用不对称切换方法成功地生长了高质量的匹配和正负......

在国产ＣＢＥ设备上，用ＧＳＭＢＥ技术在国内首次生长出了一系列高质量的阱层具有不同Ｉｎ组分的ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ／ＩｎＰ应变多量子阱Ｐ－ｉ－Ｎ结构材料，阱层中的设计Ｉｎ组分从０．３９变化到０．６８，用Ｘ射线双......