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用GSMBE法生长了Si/SiGe/Si异质结构材料，采用双台面结构制造了SiGe/SiNPN异质结晶体管，在发射结条宽为4μm，面积为4μm×18μm的条件下，其共发射极直流放大倍数为75，截止率为20GHz，给出了结构设计，材料生长和器件制作工艺。
GSMBE生长的用于研制HBT的SiGe/Si异质结材料
【摘 要】
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用GSMBE法生长了Si/SiGe/Si异质结构材料，采用双台面结构制造了SiGe/SiNPN异质结晶体管，在发射结条宽为4μm，面积为4μm×18μm的条件下，其共发射极直流放大倍数为75，截止率为
【机 构】
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北京工业大学电子信息与控制工程学院,中国科学院半导体研究所材料中心
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2001年8期
【基金项目】
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国家“8 63”高技术计划 ( No.863 -3 0 7-1 5 -4 ),,国家自然科学基金 ( No.698760 0 4),,国家自然科学基金重大项目 ( No.69892 60 -
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