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根据已经发表的实验数据，针对镓铝铟磷发光材料提出一组经验公式及相应的曲线，作为ＧａＡｌＩｎＰ可见光材料设计的依据或参考。
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应用双晶衍射仪对MOCVD外延生长所得到的一个GaAlInP双异质结(DH)的单晶多层结构进行测试与分析。应用双晶衍射的动力学理论模拟此......
采用涡轮LP MOCVD外延技术 ,在特别改进GaAlInP材料生长的基础上生长 2 0对InGaP/GaAlInP多量子阱结构的红光发光二极管 (LED)。外......
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