双晶衍射相关论文
本文利用X射线双晶衍射和电子探针显微分析方法,研究了MBE In_xGa_(1-x)As/GaAs(001)系统的晶格失配与In含量x值的关系.在外延层厚......
依据双晶摇摆曲线的形成原理,提出了一种高分辨率,高灵敏度的测定离子注入单晶损伤与应变的双晶(n~v,—n~v)排列方法。考虑到掠入......
本文采用MOCVD方法在(0001)蓝宝石衬底上生长了AlN和高铝组分AlGa材料,通过优化AlN和AlGaN 材料的生长温度、生长压力和Ⅴ/Ⅲ......
通过改进热场和单晶生长技术,利用液封直拉法(LEC)生长了直径3英寸晶向的InAs单晶。对晶体进行了霍尔测试(Hall)、X射线双晶衍......
本文采用磁控溅生长技术在GaAs(100),Si(100),Si(111),Al2O3(0001)和玻璃等不同衬底生长GaN薄膜.同时采用X射线双晶衍射,光致发光......
本文改进了自行研制的超高真空化学气相外延设备(RHT/UHV/CVDSGE500)的气路系统,使之拥有生长渐变Ge分布的SiGe材料的能力.利用X射......
用NH3作气源的MBE法在Si(111)和Si(100)衬底上外延生长了高质量的AIN单晶薄膜.在生长开始前,先沉积A1以覆盖Si衬底表面防止Si的氮......
在n-Si衬底上分别注B1×10cm50kev和注矿5×10cm50kev形成p-n结后再用MBE外延800nm厚的Ge膜:在n-Si衬底上用MBE外延一层p-Si形成p-......
用X射线双晶衍射对气源分子束外延(GS-MBE)制备的锗/硅纳米周期超晶格(NPS)样品进行了分析。发现对硅层厚度较小的样品,双晶衍射摇摆曲线中由超晶格......
GaN具有直接跃迁的能带结构,室温禁带宽为3.4eV,且化学稳定性很好,是制作高温、高功率、高光效的光电子器件基材料。自从1994年日本Nakamura等人率先使用GaN材......
研究人员用MoCVD和MBE的方法生长了国际一流水平的立方相GaN,用X-光双晶衍射,PL谱,腊曼散射谱等方法对材料的相纯度,光学质量和结构性......
该文论述多孔硅可分成两类:发光多孔硅和不发光多孔硅。X射线双晶衍射实验表明,两类多孔硅的微结构间存在着明显差别,而发光多孔硅比不......
该文报告了几种典型的具有不同结构和厚度的小应变异质材料和量子阱材料的计算机模拟摇摆曲线,指出了摇摆曲线模拟分析的方法和步骤......
他们用UHV/CVD系统生长了锗硅合金。外延层的组分由二次离子质谱和双晶衍射决定。他们发现生长速度随GE组分的增加而降低,B〈,2〉H〈,6〉对锗硅合金......
该文报导用分子束外延工艺在GaAs(211)B衬底上生长HgCdTe外延膜的实验,用X射线双晶衍射,透射电镜,富里叶红外光谱仪和Hall系数等测量方法对所生长的HgCdTe薄膜的结......
应用双晶衍射仪对MOCVD外延生长所得到的一个GaAlInP双异质结(DH)的单晶多层结构进行测试与分析。应用双晶衍射的动力学理论模拟此......
应用双晶衍射仪对MOCVD外延生长所得到的一个GaAlInP双异质结(DH)的单晶多层结构进行测试与分析.应用双晶衍射的动力学理论模拟此......
对注Si ̄+的GaAs样品(注入能量180keV、剂量5×l0 ̄(12)~10 ̄(15)cm ̄(-2)采用白光快速退火,测量其χ射线双晶衍射谱并结合背散射,Hall测量结果,分析了注入引起的应变及掺杂机理。......
用X射线双晶衍射对气源分子束外延(GS-MBE)制备的锗/硅短周期超晶格(SPS)样品进行了分析.所有样品的锗层厚度固定为1.5单原子层,而硅......
本文着重介绍了MBE[(GaAs)_l(Ga_(1-x)Al_xAs)_m]_n/GaAs(001)一维超晶格的X射线双晶衍射测量方法。根据卫星峰的出现,证明超晶格......
通过X射线动力学理论计算的晶体摆动曲线与测试实验曲线的比较给出外延薄膜材料的结构,为器件研制了工作提供了有用的数据,证明运用X射......
通过x射线双晶衍射图形了SiGe/SiHBT的电学特性与晶格结构的关系。...
本文利用X射线双晶衍射测量LPE生长的InGaAsP/InP异质结的R-C曲线,得到了异质结的垂直失配和水平失配.在考虑存在失配位错的情况下......
本文根据超晶格结构的台阶模型,利用X射线衍射的运动学模型,导出了超晶格的X射线衍射峰的相对光强比.利用X射线双晶衍射方法测定了......
采用卢瑟福背散射及沟道效应、X射线双晶衍射和光致发光谱三种技术对两类未故意掺杂的 MOVPE生长的 Ga N样品进行综合测试 .它们在......
采用MOCVD方法,利用二甲基肼为氮源,进行了GaNAs材料的生长。利用高分辨X射线衍射与二次离子质谱测试方法确定了材料中氮的组分。采......
采用X射线三轴晶衍射法,根据As间隙原子对作为过量As在GaAs单晶材料中存在的主要形式的模型,可以无损、高精度测量半绝缘GaAs单晶的......
本文利用X射线双晶衍射和电子探针显微分析方法,研究了MBE In_xGa_(1-x)As/GaAs(001)系统的晶格失配与In含量x值的关系.在外延层厚......
本文阐述了一种基于X射线动力学衍射理论的计算机模拟方法,该方法可用于分析超晶格材料的X射线双晶摆动曲线,用模拟计算方法得到了......
本文利用X射线双晶衍射方法,研究了分子束外延(MBE)GaAs/CaP(001)异质外延层的结构参数——晶格常数、晶胞体积.根据X射线衍射动力......
本文通过X射线双晶衍射和双晶摇摆曲线的计算机模拟方法研究了在Si(001)上生长的Ge0.5Si0.5/Si应变层超晶格的结构及完整性,结果表......
本文介绍了一种用X射线双晶衍射仪测定外延层与衬底界面状况并同时测定外延层点阵常数及组分的方法,只需测定三个衍射,并考察了表面偏......
本文介绍了X射线双晶衍射技术的原理和对半导体外延膜的检测;对普遍关心的衬底与外延膜的 点阵失配、膜厚和成分及其变化的测定、衬......
CdTe/GaAs是HgCdTe分子束外延的重要替代衬底材料。用X双晶衍射和光致发光测试研究了分子束外延生长的CdTe(211)B/gAs(211)B的晶体结构质量,表明外延膜昌体结构完整,具有很......
本文用低温光致荧光(PL)谱及X射线双晶衍射方法对MBE方法生长的GaAlAs/GaAs(100)量子阱结构材料进行了测试分析.结果表明,在材料生......
本文利用X射线双晶衍射对应变层超晶格进行了研究.我们从超晶格的台阶模型出发,运用运动学理论,推导出了X射线衍射强度的表达式,清......
利用高精度X射线双晶衍射术,研究了碲熔剂法生长的Φ15mm的Hg0.8Cd0.2Te块晶片的结构不完整性,发现工艺大致相同的块晶晶体完整性差别十分明显,但它们的......
本文介绍了X射线双晶衍射仪的特点及其原理,以及利用X射线摇摆曲线技术在半导体材料研究方面的应用。......
利用XPS定量测量分子束外延生长的三元合金碲硫锌ZnS1-xTex(0〈x〈1)薄膜的组分x,对比用高分辨率X射线双晶衍射技术的测量结果,相对误差小于10%。......
本文用X射线双晶衍射术,结合摇摆曲线的计算机模拟和电学测量,研究了 180keV Si+注入GaAs(100)样品及其退火过程中的结构变化.结果表......
采用 X射线三轴晶衍射法 ,根据 As间隙原子对作为过量 As在 Ga As单晶材料中存在的主要形式的模型 ,可以无损、高精度测量半绝缘 G......
对不同的O,Ce束流比条件下用离子束外延方法生长的氧化铈/硅薄膜在热处理前和干氧气氛中经不同温度热退火后进行俄歇电子能谱深度剖析测......
采用质量分离的低能双离子束淀积(IBD)技术,在硅(111)衬底上共淀积,生长了氧化铈外延薄膜.椭圆偏振仪测得,膜厚2000A.俄歇能谱仪测得,外延层内铈、氧分布......
采用x射线双晶衍射、化学腐蚀等方法,研究了Sn、Fe、S等杂质对InP单晶生长位错的影响及位错分布。分析和讨论了关于杂质效应机理的......
测量300 mm双面磨削硅片损伤层厚度,不仅可以为优化双面磨削工艺提供科学依据,并最终可以减少双面磨削损伤层厚度,而且可以有助于......