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GaAs背孔相关论文
ICP干法刻蚀GaAs背孔工艺研究
采用金属Ni作为掩膜,Cl2/BCl3作为刻蚀气体,利用感应耦合等离子体刻蚀(ICP)技术对Ga As HEMT背孔工艺进行研究。本文详细研究了ICP......
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感应耦合等离子体
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