研究由MOCVD技术制备的GaMnN外延薄膜光吸收谱.实验发现Mn掺杂后较未掺杂GaN吸收系数在近紫外区增加,在吸收谱低能区1.44eV附近观......

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具有室温铁磁性的GaMnN稀磁半导体是自旋电子学领域中的一种重要材料，也是在GaN基材料和器件中实现基于自旋和电荷双重属性的量子调......

稀磁半导体(Diluted Magnetic Semiconductors,DMSs)是一种由磁性过渡族金属离子或稀土金属离子部分替代非磁性半导体中的阳离子所......

利用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积（ECR-PEMOCVD）技术,在蓝宝石（α-Al2O3）衬底上生长出具有一定Mn含量的GaMnN稀磁......

随着半导体技术的发展，半导体芯片中晶体管的特征尺寸从十几年前的0.35μm缩小为目前最先进的22nm，这使得芯片的集成度提高了成千上......

稀磁半导体材料(DMS)因兼具磁性材料和半导体材料的双重特性，可同时利用电子的电荷性质及自旋性质而引起广泛注意。这类材料具有一......

目前,铁磁共振隧穿二极管由于在自旋阀和自旋过滤器件的应用,其研究已越来越受到重视。本论文主要研究了Ⅲ-Ⅴ族铁磁共振隧穿二极......

GaN材料因为其禁带宽度大、电子漂移饱和速度高、介电常数小、导热性能好等特点,在微电子和光电子领域具有十分广阔的应用优势和发......