GaN纳米棒相关论文
通过氨化射频溅射工艺生长的GaO薄膜,在Si(111)衬底上成功地制备出了GaN纳米棒.用场发射扫描电镜(FE-SEM)、X射线衍射(XRD)和透射......
相比于传统的薄膜外延材料,氮化镓(GaN)微、纳米棒具有较大的比表面积,较低的位错密度以及独立分布生长的特点,在制备高效率,长寿......
通过氨化射频溅射工艺生长 Ga2 O3薄膜 ,在石英衬底上成功地合成了六方 Ga N纳米棒 .用 X射线衍射(XRD)、扫描电镜 (SEM)、高分辨......
基于三族氮化物(如GaN)的LED(Light emitting diode)因其环保、节能、体积小和寿命长等优点,已广泛应用在照明和显示等领域中。近......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
采用简单、有效的sol-gel法在1 000℃时通过氧化镓凝胶和氨气反应成功合成了GaN纳米棒.XRD和SAED的测试结果表明,GaN纳米棒为六方......
一条新奇钓鱼条形轧了 nanorod 被使用二拍子的圆舞生长技术成功地通过一个新方法制作。这个生长方法对连续合成适用并且能生产很......
通过氨化射频溅射工艺生长Ga2O3薄膜，在石英衬底上成功地合成了六方GaN纳米棒，用X射线衍射（XRD），扫描电镜（SEM）、高分辨率透射电镜（HRTEM）和......
采用简单、有效的sol-gel法在1 000℃时通过氧化镓凝胶和氨气反应成功合成了GaN纳米棒.XRD和SAED的测试结果表明,GaN纳米棒为六方......
本文分别用三甲基镓和高纯蓝氨作为Ga源和N源，Ni（NO3）2作为催化剂，在Si（111）衬底上制得针尖状GaN纳米棒。测试结果表明制备的CaN纳米棒是......
采用磁控溅射的方法在Si（111）衬底上溅射沉积了Ga2O3/Al膜，并通过氨化的方法在Si（111）衬底上获得了GaN纳米结构材料，研究了不同的氨化温......
