Hg源扩散相关论文
根据由离子束刻蚀HgCdTe pn结C-V曲线,判定其为线性缓变结;由1C3-V曲线斜率可知杂质浓度分布梯度。利用泊松方程(零偏压时耗尽层宽......
根据由离子束刻蚀HgCdTepn结C-V曲线,判定其为线性缓变结;由1C3-V曲线斜率可知杂质浓度分布梯度。利用泊松方程(零偏压时耗尽层宽......
