INGANGAN多量子阱相关论文
发光二极管(LED)作为一种新型光源,因其寿命长、功耗低、环境友好等优点,已引起相关研究人员的广泛关注和极大兴趣。根据实现方式的......
作为GaN基发光器件最常用的有源区结构,InGaN/GaN多量子阱结构一直以来都倍受科研工作者们的关注。为了提高InGaN/GaN多量子阱发光......
金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法制备InGaN/GaN多量子阱结构时,在GaN势垒层生长的N2载气中引入适量H2,能够有效改善阱/垒界面质量......
作为GaN基发光二极管和激光器的核心区域,InGaN/GaN多量子阱的发光性能一直是研究的焦点。事实上,尽管InGaN材料本身拥有较高的缺......
通过调节In 组分,可使InGaN 合金的的发光波长覆盖紫外至红外的整个光谱范围,是制作高亮度发光二极管(LED)和连续激光二极管(LD)的......
会议
近年,GaN 基LED 因具有寿命长、无辐射与低功耗等优良特性,在显示、背光源和白光照明等方面具有广阔的应用前景1.但GaN 基LED 的发......
利用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底上生长了InGaN/GaN多量子阱外延结构, 高分辨率X射线衍射测量结果显示, 量子阱结构界......
InGaN基量子阱作为太阳电池器件的有源区时,垒层厚度设计以及实际生长对其光学特性的影响极为重要。采用金属有机化学气相沉积(MOVC......
蓝宝石(Al_2O_3)上生长的InGaN/GaN多量子阱(MQWs)结构是现代蓝色发光二极管(LED)的基础,因其在新一代白光照明中的必要性和在全彩......
商用二维Ga N基薄膜LED外延结构的高位错密度、效率骤降、量子限制斯塔克效应、绿隙等问题严重影响了其在大功率、高亮度及长寿命......