InP单晶材料相关硕士博士期刊学术论文 - 搜论网

InP单晶材料相关论文

第二代半导体材料、器件及电路的发展趋势

砷化镓(GaAs）、磷化铟(InP）、硅锗(SiGe）单晶性能优异。适用于高速、高频、高温和大功率电子器件，是制作高性能微波和毫米波器件及电路......

期刊

InP单晶材料 SIGE 化合物半导体砷化镓磷化铟硅锗发展趋势

InP单晶材料性能及制备方法

介绍了InP单晶材料的特性、应用方向及制备的主要方法,主要包括液封直拉技术（LEC）、气压控制直拉技术（VCZ/PC-LEC）、垂直梯度凝固技术（V......

期刊

InP单晶材料液封直拉法气压控制直拉法垂直梯度凝固

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