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锗材料凭借其优异的光电性能，已经在太阳能电池、红外光学、功率器件和微波器件等方面实现了重要的应用。基于其在下一代甚大规模集......
利用同步X光透射形貌技术，研究了液封直拉（LEC）、水平布里支曼（HB）、垂直梯度凝固（VGF）三种生长技术制备的Φ2"晶片的位错缺陷。发现LEC晶......
技术开发单位 中国电子科技集团公司第四十六研究所 技术简介该研究所采用垂直梯度凝固（VGF）锗单晶生长技术制备超薄锗片，突破了4英寸......
在VGF法生长6英寸GaAs单晶的实际生长过程中,坩埚与坩埚托之间难以实现完全的理想贴合。坩埚与埚托之间的空隙对晶体生长过程中的......
晶体的生长速率关系着晶体质量和生产效率,保证晶体质量的同时,实现较高的生产效率是晶体生长速率优化的主要目标。VGF技术生长晶......
利用数值模拟和实验相结合的方法,研究了4英寸VGF GaAs单晶的生长。首先基于炉体结构和所采用材料,建立一个和真实单晶生长系统接......
VGF技术生长单晶时温度梯度较低,生长速率较小,目前已成为生长大直径、低位错密度晶体的主流技术之一。采用数值模拟研究了VGF法6......
介绍了制备InP单晶材料的主要方法,包括传统液封直拉技术(LEC)、改进的LEC技术、气压控制直拉技术(VCZ0PC-LEC)0垂直梯度凝固技术(......
介绍了InP单晶材料的特性、应用方向及制备的主要方法,主要包括液封直拉技术（LEC）、气压控制直拉技术（VCZ/PC-LEC）、垂直梯度凝固技术（V......
