采用高压ＬＥＣ工艺生长３ｉｎｃｋ掺Ｓｉ ＧａＡｓ单晶，掺杂浓度大于１＊１０＾１８／ｃｍ＾３，晶体位错密度小于１＊１０＾４／ｃｍ＾２。实验发现，采用ＰＢＮ坩埚和使用水含量较高的氧化硼做覆盖剂，固液交界面处均会产......