LET阈值相关论文
基于存储设备在极低温环境及辐照环境下的应用,论文采用TCAD软件仿真与试验相结合的方式,研究MOS器件电特性在极低温环境下发生变......
空天应用集成电路通常需要工作在恶劣的空间辐射环境中,因此会受到太空中高能粒子轰击从而引发辐射效应。美国国家地理数据中心（NGD......
工作在空间环境中的航天器容易受到影响发生故障,其中最常见的故障为单粒子翻转（Single Event Upset,SEU）。以航天电子系统中常用的......
高能粒子轰击半导体时,粒子轨迹淀积的电荷被敏感节点收集,将导致存储器数据发生单粒子翻转效应。动态随机存储器(DRAM)单元成本低......
根据重离子和脉冲激发诱发单粒子翻转机理，分析了重离子和脉冲激光模拟单粒子翻转阈值（激光能量与重离子线性能量转移（LET））等效方法，得......
采用TCAD工艺模拟工具按照等比例缩小规则构建了从亚微米到超深亚微米级7种不同特征尺寸的M0s晶体管，计算了由这些晶体管组成的静态......
