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本文采用DLTS方法,研究LPE-GaAs层中深电子陷阱(Es-0.72eV)的成因.通过改变外延生长条件,发现该电子陷阱的浓度明显受生长温度、降......
本文用深能级瞬态谱(DLTS)法,结合表面光伏(SPV)法和某些常规测试,较系统地研究了1MeV能量和不同剂量的电子辐照下对N型LPE-GaAs层......
本文采用液相外延(LPE)法研究在GaAs中掺鼯土元素Er的外延生长,并对外延层的质量及光荧光等测量结果进行讨论。......