MGXZN1-XO相关论文
研究了高温高压下制备MgxZn1-xO(0.30...
ZnO是一种II–VI族的宽禁带半导体材料,通过Mg的掺杂可以使其禁带宽度在3.3 e V到7.8 e V之间连续可调,由于在日盲区紫外探测方面......
采用射频磁控溅射用x=0.00～0.45的MgxZn1-xO陶瓷靶在Si(100)和石英衬底上生长MgxZn1-xO薄膜。采用X射线衍射谱(XRD)、透射谱和光电......
,Magnesium incorporation efficiencies in MgxZn1-xO films on ZnO substrates grown by metalorganic che
We investigate the magnesium (Mg) incorporation efficiencies in MgxZn1-xO films on c-plane Zn-face ZnO substrates by usi......
Deep-ultraviolet (DUV) light-emitting devices (LEDs) have a variety of potential applications.Zinc-oxide-based materials......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
为探究吕家坨井田地质构造格局,根据钻孔勘探资料,采用分形理论和趋势面分析方法,研究了井田7......
用等离子辅助分子束外延 (P MBE)的方法 ,在蓝宝石c平面上外延生长了MgxZn1 xO合金薄膜。在0≤x≤ 0 2范围内薄膜保持着ZnO的纤......
用等离子辅助分子束外延(P-MBE)的方法,在蓝宝石c平面上外延生长了MgxZn1-xO合金薄膜.在0≤x≤0.2范围内薄膜保持着ZnO的纤锌矿结......
利用等离子体辅助分子束外延（P-MBE）的方法，在c平面的蓝宝石衬底上制备了高质量的MgxZn1-xO合金薄膜。通过改变Mg源的温度，得到了不同M......
固体装配型薄膜体声波谐振器（FBAR）机械强度好,尺寸小,可在硅片上三维立体集成,灵敏度大,在未来的通信设备制作高带通滤波器和物联网......
采用射频磁控溅射用x=0.00～0.45的MgxZn1-xO陶瓷靶在Si(100)和石英衬底上生长MgxZn1-xO薄膜。采用X射线衍射谱(XRD)、透射谱和光电......
采用射频磁控溅射用x=0.00～0.45的MgxZn1-xO陶瓷靶在Si(100)和石英衬底上生长MgxZn1-xO薄膜。采用X射线衍射谱(XRD)、透射谱和光电......
MgxZn1-xO材料是一种新型的光电功能材料,近年来受到人们的广泛关注。文章采用Sol-Gel法制备了MgxZn1-xO粉体,研究Mg含量对MgxZn1-......
采用静电纺丝方法制备聚乙烯吡咯烷酮（PVP）纳米纤维,并以其为模板采用原子层沉积（ALD）方法制备不同Mg掺杂浓度的MgxZn1-xO纳米纤维。研......
The structural and surface properties of high-quality epitaxial cubic MgxZn1 -xO films deposited by pulsed laser deposit......
采用射频磁控溅射法在80℃衬底温度下制备了MgxZn1-xO（x=0．23）薄膜，用X射线衍射（XRD）、高分辨透射电镜（HRTEM）、喇曼（Raman）光谱和原子力显微......
采用射频磁控溅射法在80℃衬底温度下制备了MgxZn1-xO（x=0．23）薄膜，用X射线衍射（XRD）、高分辨透射电镜（HRTEM）、喇曼（Raman）光谱和原子力显微......
采用静电纺丝法在Si基底上制备了不同Mg掺杂浓度的ZnO纳米纤维膜,利用扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射（XRD）、X射线光电子能谱（XPS）、光......
本文研制了一种基于磁控溅射掺镁氧化锌（MgxZn1-xO）压电薄膜的S波段固体装配型体声波谐振器（SMR-FBAR）。相比传统的氧化锌（Zn-O）薄膜,Mgx......
基于2,7-二辛基[1]苯并噻吩并[3,2-b]苯并噻吩(C8-BTBT)与无机钙钛矿CsPbBr3 量子点构成复合发光层,采用倒置QLED器件结构(ITO/ZnO......
用分子束外延设备在c面蓝宝石衬底上生长得到高质量Mg x Zn1-x O薄膜。X射线衍射显示,当Mg摩尔分数在0~32.7%范围内时,薄膜保持六......
High-quality MgxZn1-xO thin films were grown on sapphire(0001) substrates with a ZnO buffer layer of different thickness......
利用ZnO微晶粉末以化学电泳法成功地在导电玻璃上制备了不同x值的紫外发光的宽禁带氧化物半导体三元化合物MgxZn1-xO薄膜.电子显微......
采用射频磁控溅射用x=0.00～0.45的MgxZn1-xO陶瓷靶在Si（100）和石英衬底上生长一系列的MgxZn1-xO薄膜。用XRD、XPS、透射谱和光电导谱......
采用溶胶-凝胶法制备了不同组分(x=0.1～0.3)的MgxZn1-xO前驱体,并对它进行不同温度的热处理(550℃～1000℃).X射线衍射(XRD)结果表明,......
固体装配型谐振器(SMR)由布拉格反射层上的两个电极及它们之间的压电层制备而成。布拉格层是厚度为1/4波长的高低声阻层结构。ZnO......
本工作分别采用热蒸发技术和螺旋波等离子体辅助射频溅射技术研究了一维ZnO纳米线和二维ZnO量子阱结构的制备过程。对一维ZnO纳米......
ZnO 是具有纤锌矿晶体结构的直接宽带隙多功能半导体材料,它具有多种优良的物理性能,在声表面波器件、透明电极、紫外探测器等方面......
