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MOCVD外延相关论文
氧化锌MOCVD生长、掺杂及器件应用
氧化锌(ZnO)是一种直接带隙半导体材料,室温下带隙为3.3eV,激子束缚能为60meV。ZnO因其优越的光电特性在高亮度蓝紫光发光器件、紫外......
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氧化锌
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20世纪以来,随着光通信日益不断地向高速大容量传输方向发展,空间探测的不断创新,高响应速度,大带宽和高增益接收器件的研制也迅速......
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雪崩二极管
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